采用水培方法，在玉米幼苗进入三叶期后向培养液中加入不同浓度氯化镉（0、10-6、10-5、10-4 mol·L-1），胁迫不同时间（5、10、15 d）后对幼苗进行各项指标检测。结果表明，低浓度（10-6 mol·L-1）及中浓度（10-5 mol·L-1）镉胁迫对幼苗生长均有较强刺激作用，而中浓度胁迫对地上部分作用更明显；低浓度镉胁迫对根部及叶片抗氧化酶（SOD、POD、CAT及ASA－POD）活性影响较小，只是根部POD、ASA－POD活性明显升高，而中浓度胁迫对除SOD外其他抗氧化酶活性均有显著促进作用；MDA含量均未有显著升高，可见根部及叶片未受到氧化损伤；两种浓度胁迫下，Fv′/Fm′虽下降，净光合速率有所升高。高浓度镉（10-4 mol·L-1）胁迫下幼苗生长几乎停止；根部SOD及CAT活性升高，而POD和ASA－POD被明显抑制，叶片中CAT、POD及ASA－POD活性显著升高；根部受到显著氧化损伤；各项光合参数（Fv/Fm、Fv′/Fm′和净光合速率）均显著降低。